style="width:1.98665in;height:4.24006in" />class="anchor">GB/T 32988—2016 本文是学习GB-T 32988-2016 人造石英光学低通滤波器晶片. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们
本标准规定了人造石英光学低通滤波器晶片术语和定义、分级、要求、测试方法、检验规则及包装、
标识、交货条件。
本标准适用于人造石英光学低通滤波器晶片。
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1185 光学零件表面疵病
GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)
检索的逐批检验 抽
样计划(ISO 2859-1:1999)
GB/T 2831 光学零件的面形偏差
GB/T 6618—2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 7895 人造光学石英晶体
GB/T 7896—2008 人造光学石英晶体试验方法
GB/T 7895、GB/T1185和 GB/T
2831界定的以及下列术语和定义适用于本文件。为了便于使
用，以下重复列出了上述某些术语和定义。
3.1
光学低通滤波器晶片 optical low-pass filter
wafer;OLPF wafer
用石英晶体等材料制作，其单片或多片组合并镀膜后，让某一频率以下的光信号分量通过，而抑制
该频率以上的光信号分量的光学基片。
3.2
有效区域 fixed quality area;FQA
去除晶片边缘特定距离X 的晶体表面中心区域。参考图1虚线所包含的区域。
注：FQA 的边界通常指与晶片的边缘(包括基准边)相距 X 的所有点。
[IEC 62276—2005,定义3.7.1]
3.3
包 裹 体 inclusions
将晶体浸在折射率匹配液中，由光源的散射光来观测人造石英晶体中可见的外来物质。最普遍的
包裹体为锥辉石。
[GB/T 7895—2008,定义3.6]
3.4
条纹 striae
人造石英晶体中，晶体局部区域因折射率发生变化观察到的线条状缺陷。
style="width:1.98665in;height:4.24006in" />class="anchor">GB/T 32988—2016
[GB/T 7895—2008,定义3.8]
3.5
裂纹 crack
在晶片表面延伸的并可穿透或未穿透整个晶片厚度的破裂部分。
3.6
表面切向 surface orientation
晶片表面法线的结晶学取向。
3.7
基准面 orientation flat;OF
标明晶体基准方向的晶片外缘的平直部分，具有一定定向精度，通常指晶片长边所代表晶面
(图1)。
style="width:3.83327in;height:5.08002in" />
说明：
b——倒角；
c——倒边；0——方位角；
φ——倾角。
图 1 0 LPF 晶片示意图
3.8
第二基准面 secondary flat;SF
晶片外缘上，小于 OF
的另外一条平直面，通常指晶片短边所代表晶面，亦称为副基准面(图1)。
3.9
五点厚度差 thickness variation for five
points;TV5
晶片厚度差的一种测量值，定义为5个厚度测量点之间的最大厚度差值。厚度测量的选点为晶片
中心和周边的四点(图1中标识的中心十字线与有效区域边界交点)。
3.10
倒角 bevel
晶片相互垂直的两个基准面之间加工成一定角度的平面或圆弧面(图1)。其中标志性倒角用
bM
表示。
3.11
倒边 chamfer
晶片表面与基准面之间加工成一定角度的平面或圆弧(图1)。
GB/T 32988—2016
3.12
垂直度 perpendicularity
第二基准面与基准面之间90°夹角的偏差值。
3.13
表面疵病 surface imperfections
光学零件表面呈现的麻点、斑点、擦痕、破边等瑕疵。
[GB/T 1185—2006,定义3.1.1]
3.13.1
麻点 pit
晶片表面呈现的微小的点状凹穴，包括开口气泡、破点，以及细磨或精磨后残留的砂痕等。
[GB/T 1185—2006,定义3.1.2]
3.13.2
斑点 stain
光学零件表面经侵蚀后形成的在反射光中呈干涉色突变的局部腐蚀。
[GB/T 1185—2006,定义3.1.3]
3.13.3
擦痕 scratch
晶片上表面呈现的微细的长条形凹痕。长宽比不大于160:1的擦痕称短擦痕，长宽比不小于
160:1的擦痕则称为长擦痕。
[GB/T 1185—2006,定义3.1.4]
3.13.4
破边 edge chips
光学晶片有效区域之外的边缘破损，不包括可发展的裂纹。位于有效区域内的破边部分按麻点
处置。
[GB/T 1185—2006,定义3.1.5]
3.14
面形偏差 surface form deviation
被测光学表面相对于参考光学表面的偏差。
[GB/T 2831—2009,定义3.1]
注：在用样板检测时，面形偏差的公差包括3项：被测光学表面相对于参考光学表面的曲率半径偏差所对应的光圈
数 N、像散偏差所对应的光圈数△,N 和局部偏差所对应的光圈数△2N。
3.14.1
象散偏差 astigmatism deviation of Newton rings
被检晶片表面与参考光学表面在两个相互垂直方向上产生的光圈数不等所对应的偏差。
[GB/T 2831—2009,定义3.15]
3.14.2
局部偏差 irregularity deviation of Newton
rings
被检晶片表面与参考光学表面在任一方向上产生的干涉条纹的局部不规则程度。
[GB/T 2831—2009,定义3.16]
按照晶片条纹缺陷分两级，符合表1规定。
GB/T 32988—2016
表 1 条纹分级
|
|
|
|---|---|---|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
有效区域内，不应有包裹体。
有效区域内，不应有裂纹。
条纹按第4章规定分级，且有效区域内条纹总面积不应超过晶片总面积的5%。
长边L±0.1 mm;
短边 W±0.1 mm;
GB/T 32988—2016
厚度 T±0.02 mm。
5.2.2.1 表面
角度：由客户使用需求确定。
偏差：方位角≤30';其他角≤1°。
5.2.2.2 基准面/第二基准面
角度：由客户使用需求确定。
偏差：≤30'。
标志性倒角bM=1mm±0.2 mm,无特殊说明标记+x 向 ；
其他倒角b=0.2 mm±0.1 mm。
全周倒边c=0.1mm±0.05mm, 且每条倒边偏差±0.01 mm。
TV5≤0.005 mm。
90°±15'。
有效区域内：晶片表面麻点直径总长不大于10 μm, 麻点间距>0.5 mm;
有效区域外：晶片表面麻点直径总长不大于25 μm, 麻点间距>0.5 mm。
有效区域内不应有可见的斑点。
有效区域内：宽度\<5μm, 长 度 \< 1 mm, 不超过2条；
有效区域外：宽度\<15 μm, 长 度 \< 2 mm, 不超过3条。
5.3.4.1 **倒边后边缘缺口(崩边
径向深度：≤0.2 mm;
外围弦长：≤0.2 mm。
GB/T 32988—2016
5.3.4.2 表面缺口
有效区域内无缺口。
有效区域内：光圈 N≤10, 局部光圈△ .N≤6;
有效区域外：无要求。
亮度不低于10001m 的 LED 光源，10倍放大镜。
反射光法：手持放大镜目测观察晶片表面，旋转晶片使光源小角度反射入目镜，调整好晶片表面焦
距后观察晶片内部异常亮点或暗点。
透射光法：手持放大镜目镜观察晶片表面，使光源透过晶片进入目镜，观察晶片内部异常亮点或
暗点。
脉理检测仪
循环偏振光法，消光系数450 nm 不低于400,550 nm 不低于10000,700 nm
不低于14000。
6.2.3.1
手持晶片边缘，将晶片放到脉理检测仪光源和观察窗之间，通过显示器观察晶片有效区域内条
纹形状和数量。
6.2.3.2
根据条纹形状和数量，按照第4章规定，判断条纹等级。
长边和短边：用精度不低于0.02 mm 的测量工具测量晶片外形尺寸。
厚度：用精度不低于0.01 mm 的测量工具测量晶片中心的厚度。
按照GB/T 7896—2008 中3.2规定的方法，使用X 光定向仪测试。
在亮度不低于10001m 的 LED
光源下，使用10倍放大镜目测与标准样本比对(需确定尺寸时，使
GB/T 32988—2016
用不小于40倍读数显微镜测量)。
6.5.2.1 仪器及工具
影像测绘仪
6.5.2.2 测试原理
测试原理如图2所示。
style="width:7.6667in;height:4.20002in" />光源照明系统
光学成像系统 图像传感器 图像采集卡
机械导轨及运动支撑系统 计算机处理控制
光栅传感器 光栅计数卡
图 2 影像测绘仪原理
6.5.2.3 测试方法
使用仪器软件中的距离测量功能，依需要确定采点数后直接测量
影像测绘仪
使用仪器软件中的垂直度测量功能，依需要确定采点数后直接测量。
用精度不低于1μm
的测量工具测试，选点为3.9界定的5点，取极差值；或按照GB/T 6618—2009
规定的测试方法测试。
按照GB/T1185 规定的测试方法测试。
按照GB/T 2831 规定的测试方法和判定方法，使用标准样板或干涉仪进行测试。
GB/T 32988—2016
本标准要求5.1中规定的包裹体、裂纹和条纹为全部检验项目。
本标准要求5.2、5.3和5.4规定项目为抽样检测项目，抽样方案由使用方和供应方协商确定。在无
明确规定下，样本量按照GB/T 2828.1—2012规定的一般检验水平Ⅱ随机抽取。
由使用方和供应方协商确定。无明确规定情况下，按照 GB/T 2828.1—2012
规定的正常检验一次
抽样方案 AQL 不高于2.5%进行判定，AQL
的抽样结果能反映晶片缺陷的整体情况。
型式检验项目包括第5章要求中的全部项目，有下列情况之一应进行型式检验：
a) 新产品或老产品转厂生产的鉴定；
b) 原料、工艺、设备和产品结构有重大变动，可能导致产品性能变化时；
c) 累计生产一年时进行抽查；
d) 产品停止生产6个月以上，恢复生产时；
e) 出厂检验结果与上次型式检验结果有较大差异时；
f) 使用方和供应方协商确定有必要时。
内包装采用专用的包装盒真空封装包装，包装应整洁规范，不得少片、多片。
外包装应采用不损伤产品的包装方式，表面应无破损，包装结构牢固无变形；并有防震、防碎、防潮
措施。
外包装箱内附检验报告单。
每个内包装和外包装上均需张贴具有环保标识的标签。
有特殊包装要求的，应按使用方和供应方之间的协议规定。
包装上要求有明确标示，标示应包含产品追溯号、规格、材料、切向、数量、检验员和生产日期等
内容。
包装上要求有明确标示，标示应包含产品名称、规格、材料、切向、数量、订单号、箱号、生产日期和供
应商名称等内容。
附加条款和装运要求由使用方和供应方协商确定。
GB/T 32988—2016
更多内容 可以 GB-T 32988-2016 人造石英光学低通滤波器晶片. 进一步学习
GB-T 42474.6-2023 爆炸危险化学品汽车运输安全监控系统 第6部分：通信中心与监控客户端间数据接口.pdf
